GB/T 19444-2025 现行

硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法

标准摘要

国家标准《硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。
英文名称Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction

替代关系

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