GB/T 45716-2025 现行

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

标准摘要

国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。
英文名称Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

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