低压熔断器.第4部分:保护半导体器件用熔断体的补充要求

[中文适用范围]： 范注 1 此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注 2 在大多数情况下，相关设备的一部分用作熔断器座。由于设备种类繁多，无法给出通用规则；相关设备是否适合用作熔断器底座，应由制造商和用户达成协议。然而，如果使用单独的熔断器座或熔断器座，它们应符合 IEC 60269-1 的相应要求。这些补充要求的目的是建立半导体熔断体的特性，使其能够可用具有相同特性的其他熔断体代替，前提是它们的尺寸相同。为此目的@本标准特别提到a)熔断器的以下特性：1)它们的额定值；2)它们在正常使用中的温升；3)它们的功率耗散；4)它们的时间-电流特性；5)它们的分断容量；6) 其截止电流特性和 I2t 特性；7) 电弧电压限值。 b) 验证熔断器特性的型式试验。 c) 熔断器上的标记。 d) 技术数据的可用性和表述（见附件 B）。 [外文原描述]： IEC 60269-4:2009 is to be used in conjunction with IEC 60269-1. This Part 4 supplements or modifies the corresonding clauses or subclauses of Part 1. Fuse-links for the protection of semiconductor devices shall comply with aIl requirements of IEC 60269-1, if not otherwise indicated hereinafter, and shall also comply with the supplementary requirements laid down below. This fifth edition cancels and replaces the fourth edition published in 2006. It constitutes a technical revision. The significant technical changes to the fourth edition are: - the introduction of voltage source inverter fuse-links, including test requirements; - coverage of the tests on operating characteristics for a.c. by the breaking capacity tests; - the updating of examples of standardised fuse-links for the protection of semiconductor devices.