低压熔断器 第4部分：半导体器件保护用熔断器的补充要求

[中文适用范围]： IEC 60269-1适用于以下补充要求。用于保护半导体器件的熔断器应符合IEC 60269-1的所有要求，除非下文另有说明，并且还应符合以下补充要求。这些补充要求适用于额定电压不超过1000V交流或1500V直流的电路中含有半导体设备的设备中使用的熔断器。对于某些熔断器，可以使用更高的额定电压。 注：此类熔断器通常称为“半导体熔断器”。 这些补充要求的目的是建立半导体熔断器的特性，以便可以用具有相同特性的其他熔断器替换，前提是它们的尺寸相同。为此，本标准特别参考了以下内容： a) 熔断器的以下特性： 1) 其额定值 2) 正常服务中的温升 3) 功耗 4) 时间电流特性 5) 分断能力 6) 截止电流特性和其I²t特性 7) 电弧电压特性 b) 验证熔断器特性的型式试验 c) 熔断器上的标记 d) 技术数据的可用性和呈现（参见附录BB）。 [外文原描述]： IEC 60269-4:2024 applies with the following supplementary requirements. Fuse-links for the protection of semiconductor devices shall comply with aIl requirements of IEC 60269-1, if not otherwise indicated hereinafter, and shall also comply with the supplementary requirements laid down below. These supplementary requirements apply to fuse-links for application in equipment containing semiconductor devices for circuits of nominal voltages up to 1 000 V AC or 1 500 V DC. For some fuse‑links higher rated voltages can be used.