标准摘要
[中文适用范围]： 本标准规定了根据半导体器件对定义的机器模型（MM）静电放电（ESD）的敏感度进行测试和分类的标准程序。它可以用作人体模型（HBM）ESD测试方法的替代测试方法。目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以便进行准确的分类。 本测试方法适用于所有半导体器件，并被归类为破坏性测试。 半导体器件的ESD测试可以从本测试方法、人体模型（HBM - 参见IEC 60749-26）或IEC 60749系列中的其他测试方法中选择。MM和HBM测试方法产生相似但不完全相同的结果。除非另有说明，否则选择HBM测试方法。 注1：本测试方法并不真正模拟来自真实机器或金属工具的放电，因为测试方法使用了测试电路的高寄生电感，而真实机器和金属工具的放电上升时间约为100 ps，没有电感。 注2：本测试方法的某些条款符合IEC 61340-3-2。 [外文原描述]： IEC 60749-27:2006+A1:2012 Establishes a standard procedure for testing and classifying semiconductor devices according to their susceptibility to damage or degradation by exposure to a defined machine model (MM) electrostatic discharge (ESD). It may be used as an alternative test method to the human body model ESD test method. The objective is to provide reliable, repeatable ESD test results so that accurate classifications can be performed. This test method is applicable to all semiconductor devices and is classified as destructive. This consolidated version consists of the second edition (2006) and its amendment 1 (2012). Therefore, no need to order amendment in addition to this publication.
英文名称Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part27: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Machine model (MM)