标准摘要
[中文适用范围]： IEC 62047的本部分规定了测量厚度在0@01 ??范围内的薄膜残余应力的试验方法。到 10 ??在通过晶圆曲率或悬臂梁偏转方法制造的 MEMS 结构中。薄膜应沉积在杨氏模量和泊松比机械性能已知的基材上。这些方法用于确定沉积在基底上的薄膜内的残余应力 [1]1。 1 方括号中的数字指的是参考书目。 [外文原描述]： IEC 62047-16:2015 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 μ to 10 μ in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods.
英文名称Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods