标准摘要
[中文适用范围]： 本国际标准提供了金属氧化物半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度（BT）稳定性测试的测试程序。 [外文原描述]： Provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
英文名称Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)