标准摘要
[中文适用范围]： 本国际标准提供了半导体器件栅极介电薄膜的时间相关介电击穿（TDDB）测试方法以及TDDB失效的产品寿命估计方法。 [外文原描述]： Provides a test method of Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) for gate dielectric films on semiconductor devices and a product lifetime estimation method of TDDB failure
英文名称Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films