和FET寿命试验的指南

[中文适用范围]： 寿命测试出于多种目的而进行。为检测婴儿死亡率而进行的测试持续时间较短；除非发生婴儿死亡率的设备百分比极高，否则本文件中指定的样本量还远远不够。可以进行测试以确定特定应用的器件寿命假设给定的 MMIC 产品根据产品的预期用途被指定为功率、通用或低噪声（或小信号）器件。对于低噪声器件和无源元件，射频电压电平足够小，因此可以通过仅施加直流应力条件来准确地模拟应力。本文档适用于封装和未封装的设备。如果器件是裸芯片或封装在除插座之外不适合承受应力的情况下，由于封装不被视为正在测试的产品的一部分，可能会发生额外的故障。如果发生这种情况，在计算预测故障率时应将此类故障从总体中排除。由于在编写这些指南时不太可能了解 MMIC 中的每个结构和故障机制，因此在将本文档的原理应用于特定测试时必须做出一些判断。如果异常情况迫使这些指南出现例外情况，则应在寿命测试报告中注明例外情况。 [外文原描述]： Applies to monolithic microwave GaAs integrated circuits (MMICSs) and their individual component building blocks, such as GaAs field effect transistors (FETs), resistors and capacitors. Aims at estimating the expected lifetime of the devices at operational temperatures; usually the median lifetime (50 % failure) is used for this purpose. The purpose is to define a standard approach for evaluating the expected life of GaAs MMICs so that results from different life tests can be compared and so that a user of MMICs can predict a lifetime for his application.