纳米制造.关键控制特性.第6-11部分:石墨烯.缺陷密度:拉曼光谱

[中文适用范围]： 本部分IEC TS 62607建立了一种标准化方法，用于通过拉曼光谱法测定化学气相沉积生长的石墨烯薄膜和剥离的石墨烯片的关键控制特性——缺陷密度 nD。缺陷密度 nD 是基于石墨无定形化的三阶段模型，从拉曼光谱中 D 峰和 G 峰的强度比 I(D)/I(G) 推导得出的。该分类有助于制造商对其材料质量进行分类，并帮助客户提供对分类石墨烯电子性能的预期，特别是决定石墨烯材料质量是否可能适用于各种应用。按照本文件确定的缺陷密度 nD 被列为石墨烯空白明细规范 IEC 62565-3-1 中的关键控制特性。缺陷密度 nD 可计算出缺陷间距 LD，它是石墨烯晶格中缺陷的等效度量。该方法适用于剥离的石墨烯和生长在衬底上或转移到衬底上的石墨烯，其 I(D)/I(G) 范围在 0.1 到 3 之间，对应于 2.41 eV (514 nm) 激发能量下的缺陷密度为 2.46×10^10 cm^-2 至 7.39×10^11 cm^-2，对应于石墨无定形化的三阶段模型的第一阶段。空间分辨率约为 1 μm，由激发激光的光斑大小决定。该方法与 IEC 62607-6-6 中描述的方法互补，当拉曼光谱显示可见的 D 峰且强度比 I(D)/I(G) 在 0.1 到约 3 之间时使用。 [外文原描述]： IEC TS 62607-6-11:2022(EN) establishes a standardized method to determine the key control characteristic • defect density nD of graphene films grown by chemical vapour deposition as well as exfoliated graphene flakes by • Raman spectroscopy