标准摘要
[中文适用范围]： 本部分 IEC 63202 规定了通过电致发光（EL）成像技术在电池处于正向偏压下检测和检查裸晶硅（c-Si）太阳能电池缺陷的方法。它首先提供了捕获未封装的 c-Si 太阳能电池电致发光图像的方法指南。此外，它提供了可以通过 EL 成像检测的缺陷列表，并提供了检测和区分这些缺陷的不同可能方法的信息。当仅凭 EL 成像无法提供有关是否存在某种缺陷的明确信息时，还建议利用其他方法的组合。最后，本文件提供了在使用具有特定 EL 特征的电池进行组件组装时的潜在影响信息。尽管本文件主要针对裸 c-Si 太阳能电池，但它通常适用于所有晶圆太阳能电池技术。 [外文原描述]： IEC TS 63202-2:2021 specifies methods to detect and examine defects on bare crystalline silicon (c-Si) solar cells by means of electroluminescence (EL) imaging with the cell being placed in forward bias. It firstly provides guidelines for methods to capture electroluminescence images of non-encapsulated c-Si solar cells. In addition, it provides a list of defects which can be detected by EL imaging and provides information on the different possible methods to detect and differentiate such defects.
英文名称Photovoltaic cells - Part 2: Electroluminescence imaging of crystalline silicon solar cells