标准摘要
[中文适用范围]: 本文档旨在评估通过施加高于50°C的温度下的电流量来评估光致降解(LETID)效应。LETID是由光照或在高于50°C的温度下注入电流引起的过量载流子激活的。在实地条件下,LETID在数月甚至数年内发展,而硼氧(B-O)降解则是在几天内发展。降解阶段之后是恢复阶段,其发展时间尺度显著更长。本文档仅涉及通过电流注入方法检测LETID。本文档不处理在室温下光照条件下发生的B-O和铁硼(Fe-B)相关降解现象,B-O缺陷可能会影响结果,本文档试图通过应用某些程序将它们分开,但分离可能不完美。Fe-B效应通过在功率测定前引入等待时间来排除。所提出的测试程序可以揭示样品对LETID降解机制的敏感性,但不能提供可观察到的实地降解的精确测量。实地观察到的降解的幅度和时间尺度取决于气候和组件技术。本文档中的LETID测试是通过电流注入进行的,因为这种方法在测试设备方面很简单。这使得与光照应用相比,能更好地控制条件,并确保不同实验室之间的可比性。具有等效条件(即相同的温度和过量载流子密度/注入水平)的光照应用将产生可比较的结果。本文档中的应力条件与IEC TS 63202-4中描述的电池测试方法的注入水平不同。IEC TS 63202-4旨在为已知电池提供快速质量检查,可用于特定产品的出厂或进料检查,而本文档中的程序旨在提供通用的与产品无关的LETID检测方法,该方法可应用于不知道组件内电池的情况,并产生可重复的结果。 [外文原描述]: IEC TS 63342:2022 is designed to assess the effect of light induced degradation at elevated temperatures (LETID) by application of electrical current at higher temperatures. In this document, only the current injection approach for the detection of LETID is addressed. This document does not address the B-O and Iron Boron (Fe-B) related degradation phenomena, which already occur at room temperatures under the presence of light and on much faster time scales. The proposed test procedure can reveal sample sensitivity to LETID degradation mechanisms, but it does not provide an exact measure of field observable degradation.
英文名称C-Si photovoltaic (PV) modules - Light and elevated temperature induced degradation (LETID) test - Detection