标准摘要
[中文适用范围]： 本国际标准规定了使用扇形磁质谱仪或四极杆质谱仪对硅中砷进行深度分析的二次离子质谱方法，并使用触针轮廓测量法或光学干涉测量法进行深度校准。 该方法适用于砷原子浓度在 1 × 1016 原子/cm3 至 2.5 × 1021 原子/cm3 之间的单晶、多晶或非晶硅样品，以及坑深度为 50 nm 或更深的样品。 [外文原描述]： ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 10 16 atoms/cm 3 and 2,5 x 10 21 atoms/cm 3 , and to crater depths of 50 nm or deeper.
英文名称Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon