抗传导干扰度的特性

[中文适用范围]： “本文档中包含的方法包括： a. 电压-温度设计裕度。 b. 电压中断和瞬变。 c. 电压下降和骤降。 d. 多种条件下的电流消耗。 e. 开关输入噪声 这些方法是最佳方法在开发阶段应用，但可以在所有阶段使用（例如@资格预审@资格或合格） 测量原理 与当代成熟电子系统（非机械）相关的主要问题是： a. 要求未正确定义（例如@ b. 系统接口。 c. 未指出故障 (TNI)。典型的验证测试程序可能无法充分解决这些问题。一些常见的缺陷是： a. 需求验证 - 在理想条件下进行测试（例如@室温） b. 环境（非 EMC）测试主要针对磨损。 c. EMC 测试不现实 - 仅室温@理想化噪声信号。 d. 系统交互@接口和退化问题未得到充分解决。本文档使用相对简单且低成本的技术解决了上述大部分问题，其中：需要最少的实验室设施。 b.允许在计划早期进行最大的灵活性实验。 C。留出足够的反应时间来应对潜在问题。 d.失败是好的阶段（最大化信息）。这里解决的一个主要问题是传导抗扰度 (CI)。电磁兼容性 (EMC) 的这一方面最有可能出现保修和客户满意度问题。然而，传统的 CI 验证测试有很大的局限性。具体而言，由于测试设备和设施的性质，CI 测试通常在室温下进行 - 产品在冷或热时的响应可能与室温下不同。另一个限制是非常可重复的@准确且理想化的信号用于表示“现实世界”。虽然这看起来是可取的@但事实并非如此。 “现实世界”包含这种理想化测试信号无法复制的随机性和其他特性（例如复数阻抗）。随机性对于微处理器类型的 DUT 极其重要，因为应力事件（例如瞬态）通常必须与软件执行中的某个点及时对齐才能产生影响。值得注意的是，许多这些测试都不是“成功测试”类型，其中结果被分类为通过或失败。这种测试的价值有限，因为它产生的信息很少。目标是生成可变数据或异常，以便获得最大量的信息并做出明智的工程判断。” [外文原描述]： The methods included in this document are:aVoltage-Temperature Design Margins.bVoltage Interruptions and Transients.cVoltage Dropouts and Dips.dCurrent Draw Under a Number of Conditions.eSwitch Input NoiseThese methods are best applied during the Development stage but can be used at all stages (e.g., Pre-Qualification, Qualification or Conformity).Cross Reference: ISO7637/3,J1113-11,J1113/1_201310