T/NXCL 30—2024 现行

300 mm低氧含量直拉硅单晶

标准摘要

【主要技术内容】 本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件的衬底。
英文名称300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon

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