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T/NMRJ 080—2026
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）状态检测技术要求
现行
T/NMRJ 096—2026
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)使用失效率预测指南
现行
GB/T 45716.1-2026
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
即将实施
GB/T 6217-2026
半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范
即将实施
GB/T 7576-2026
半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范
即将实施
SJ/T 12032-2025
半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法
现行
JB/T 8951.1-2025
绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第1部分：单管
现行
JB/T 8951.3-2025
绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第3部分：臂对模块
现行
JB/T 8951.4-2025
绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第4部分：单相桥模块
现行
JB/T 8951.2-2025
绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第2部分：臂模块
现行
JB/T 8951.5-2025
绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第5部分：三相桥模块
现行
SJ/T 11974-2025
轨道交通牵引用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范
现行
SJ/T 11973-2025
新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块门类规范
现行
SJ/T 11975-2025
电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范
现行
GB/T 4587-2023
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
现行
SJ/T 11824-2022
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
现行
SJ/T 11848-2022
半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
现行
SJ/T 11851-2022
半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范
现行
SJ/T 11849-2022
半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范
现行
SJ/T 11850-2022
半导体分立器件 3DK2219 A 、3DK2222 A 、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
现行